加工定制 : | 是 | 品牌 : | 科晶 |
型號 : | PECVD | 功率 : | 19kW |
電壓 : | 380V | 額定溫度 : | 1100℃ |
主要用途 : | 薄膜生長設備 | 產品認證 : | CE |
科晶提供低壓PECVD法石墨烯制備設備
產品簡介:此款設備配有Plasma實現等離子增強,滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環境下,得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置,可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力,帶刻度的調節閥對于做低壓CVD非常簡單實用,工藝重復性好,對于石墨烯生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
主要功能和特點:
1、利用輝光放電產生等離子體電子激活氣相;
2、提高了氣相反應的沉積速率、成膜質量;
3、可通過調整射頻電源頻率來控制沉積速率;
4、能廣泛用于:石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。
參數簡介:
? ? ? 反應室 | 爐管尺寸 | φ60/100/150mm | |
加熱元件 | HRE合金絲 | ||
測溫元件 | N型熱電偶 | ||
加熱長度 | 440/600/900mm | ||
工作溫度 | ≤1100℃ | ||
控溫模式 | 模糊PID控制和自整定調節,智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能 | ||
控溫精度 | ±1℃ | ||
升溫速率 | ≤20℃/min | ||
電功率 | AC220V/50HZ | ||
供氣系統 | 標準量程 | 50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2); | |
壓力表測量范圍 | -0.1Mpa~0.15Mpa | ||
極限壓力 | 3MPa | ||
針閥 | 316不銹鋼 | ||
截止閥 | Φ6mm 316不銹鋼針閥 | ||
電功率 | AC220V/50HZ/20W | ||
響應時間 | 氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec | ||
準確度 | ±1.5% | ||
線性 | ±0.5~1.5% | ||
重復精度 | ±0.2% | ||
接口 | Φ6,1/4'' | ||
真空系統 | 工作電電壓 | 220V±10% ?50~60HZ | |
功率 | 400W | ||
抽氣速率 | 4Ls | ||
極限真空 | 4X10-2Pa | ||
實驗真空度 | 1.0X10-1Pa | ||
容油量 | 1.1L | ||
進氣口口徑 | KF25 | ||
排氣口口徑 | KF25 | ||
轉速 | 1450rpm | ||
射頻電源 | 信號頻率 | 13.56 MHz±0.005% | |
功率輸出范圍 | 3W-300W ??5W-500W可選 | ||
反射功率 | 200W | ||
射頻輸出接口 | 50 Ω, N-type, female | ||
功率穩定度 | ±0.1% | ||
諧波分量 | ≤-50dbc | ||
供電電壓 | 單相交流(187V-253V)?頻率50/60HZ | ||
整機效率 | >=70% | ||
功率因素 | >=90% | ||
冷卻方式 | 強制風冷 |